產(chǎn)地類(lèi)別 | 國產(chǎn) |
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TF1200-PECVD型等離子增強化學(xué)氣相沉積系統
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor
Deposition) 等離子體增強化學(xué)氣相沉積法
等離子增強化學(xué)氣相沉積系統
設備介紹:
本設備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強,很容易發(fā)生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應,因而這種CVD稱(chēng)為等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
此款設備配有Plasma實(shí)現等離子增強,滑軌式設計在操作時(shí)可將實(shí)驗需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個(gè)快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下,得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置,可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力,帶刻度的調節閥對于做低壓CVD非常簡(jiǎn)單實(shí)用,工藝重復性好,對于石墨烯生長(cháng)工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實(shí)驗。
主要組成系統及特點(diǎn):
本設備主要由管式加熱爐體,真空系統,質(zhì)子流量供氣系統,射頻等離子源,石英反應腔室等部件組成。
主要特點(diǎn):
1、通過(guò)射頻電源把石英真空室內的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。
2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低。
3、可以通過(guò)射頻電源的頻率來(lái)控制所沉積薄膜的應力大小。
4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、*性和穩定性高。
5、廣泛應用于:各種薄膜的生長(cháng),如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和無(wú)定型硅(a-Si:H) 等。
開(kāi)啟式真空管式爐技術(shù)參數 | |||||
| 石英管尺寸 | L1400mm *(根據需求選擇不同直徑的石英管作為反應室。有Φ40,Φ60,Φ80,Φ100,Φ120,Φ150等規格可選。) | |||
加熱元件 | 摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲 | ||||
測溫元件 | K型熱電偶 | ||||
加熱區長(cháng)度 | 400mm | ||||
恒溫區長(cháng)度 | 200mm | ||||
工作溫度 | ≤1100℃ | ||||
控溫模式 | 模糊PID控制和自整定調節,智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報警功能 | ||||
控溫精度 | ±1℃ | ||||
升溫速率 | ≤20℃/min | ||||
電功率 | AC220V/50HZ/3KW | ||||
質(zhì)量供氣系統技術(shù)參數(根據需求選擇多路質(zhì)子流量供氣系統。有兩路GQ-2Z,三路GQ-2Z,四路GQ-2Z,五路GQ-2Z或更多路供選擇。) | |||||
| 外形尺寸 | 600x600x600mm | |||
標準量程 | 50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(Ar、N2); | ||||
數顯壓力表測量范圍 | -0.1Mpa~0.15Mpa | ||||
極限壓力 | 3MPa | ||||
針閥 | 316不銹鋼 | ||||
截止閥 | Φ6mm 316不銹鋼針閥 | ||||
電功率 | AC220V/50HZ/20W | ||||
響應時(shí)間 | 氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec | ||||
準確度 | ±1.5% | ||||
線(xiàn)性 | ±0.5~1.5% | ||||
重復精度 | ±0.2% | ||||
接口 | Φ6,1/4'' | ||||
真空系統技術(shù)參數(根據需求選擇不同真空效果的真空系統。有DZK10-1(極限真空0.1Pa),GZK10-3(極限真空0.001Pa),以及進(jìn)口高真空機組(極限真空0.0001Pa)供選擇。) | |||||
| 外型尺寸 | 600×600×600mm | |||
工作電電壓 | 220V±10% 50~60HZ | ||||
功率 | 400W | ||||
抽氣速率 | 4Ls | ||||
極限真空 | 4X10-2Pa | ||||
實(shí)驗真空度 | 1.0X10-1Pa | ||||
容油量 | 1.1L | ||||
進(jìn)氣口口徑 | KF25 | ||||
排氣口口徑 | KF25 | ||||
轉速 | 1450rpm | ||||
射頻電源(根據需求選擇強度不同的射頻電源。有DLZ300(300W),DLZ500(500W)或更大功率的射頻電源供選擇) | |||||
| 信號頻率 | 13.56 MHz±0.005% | |||
功率輸出范圍 | 5-300W 5W-500W可選 | ||||
最大反射功率 | 200W | ||||
射頻輸出接口 | 50 Ω, N-type, female | ||||
功率穩定度 | ±0.1% | ||||
諧波分量 | ≤-50dbc | ||||
供電電壓 | 單相交流(187V-253V) 頻率50/60HZ | ||||
整機效率 | >=70% | ||||
功率因素 | >=90% | ||||
冷卻方式 | 強制風(fēng)冷 |
艾科迅部分客戶(hù)(CVD及PECVD及管式爐系列)
等離子增強化學(xué)氣相沉積系統 常見(jiàn)PECVD系統組合 1. 1200度60滑軌式微型管式爐,低真空系統,四路質(zhì)子流量供氣系統,300W射頻電源 |
TF1200-60S-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ300 |
2. 1200度60滑軌式管式爐,低真空系統,四路質(zhì)子流量供氣系統,500W射頻電源 |
TF1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 |
3. 1200度60雙溫區滑軌式管式爐,低真空系統,四路質(zhì)子流量供氣系統,500W射頻電源 |
TF1200-60II-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 |
4. 1200度60三溫區滑軌式管式爐,低真空系統,四路質(zhì)子流量供氣系統,500W射頻電源 |
TF1200-60III-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 |
5. 1200度60微型預熱爐,1200度60滑軌式管式爐,低真空系統,四路質(zhì)子流量供氣系統,500W射頻電源 |
TF1200-60S,MXG1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 |
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大 學(xué)
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山西煤炭化學(xué)研究所 | 航天推進(jìn)技術(shù)研究所 | 上海硅酸鹽研究所 | 廣州能源研究所 |
四川材料與工藝研究所 | 北方涂料工業(yè)研究設計院有限公司 |
科研單位
江西吉陽(yáng)集團 | 內蒙古天宇集團 | 佳英特能源材料公司 |
北京東旭集團 | 新疆慶華能源集團 | 山東通用光伏能源有限公司 |
青島韓亞重工 | 安徽天康集團 | 河北神通光電科技有限公司 |
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天津索克汽車(chē)試驗有限公司 | 蘇州太智機電有限公司 | 上海鐵高國際貿易有限公司 |
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